北京时间12月1日,国际学术期刊《自然-纳米科技》(Nature Nanotechnology)发布北邮

围绕层状铁电半导体中的电导精确调制这一关键问题,

图1. 层状铁电半导体中的隐性斯塔克效应导致非对称导电通路的形成
基于这一新的认识,研究团队提出了通过控制导电通道位置和氧化物厚度来精确控制双栅极铁电沟道场效应晶体管的电导阈值的策略,实现了多种自切换存内逻辑功能。对层状铁电半导体导电性的精确控制在电学自切换逻辑存储器方面具有独特的优势。这一特性无需额外的复杂浮动栅堆栈或物理场,提高了电路的灵活性,降低了硬件设计成本。这在数字信号处理、自适应控制、机器视觉和

图2. 电势重分布由相对于栅极的极化方向决定
本项研究工作得到国家自然科学
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