能谷自由度是指布洛赫电子在动量空间中不等价的能量极值点,是能谷电子学的基本信息编码载体。在二维过渡金属硫族化合物半导体中,该自由度可继承到由强库伦相互作用束缚的电子-空穴对中,形成能谷激子。能谷激子具有光学选择定则,可通过控制泵浦光源的圆偏振性来激发,从而使得能谷自由度的操控成为可能。但在二维过渡金属硫族化合物半导体中,强交换相互作用导致不同能谷发生耦合,进而导致其能谷激子处于量子叠加态。理论上处于该量子叠加的能谷激子态应具有线偏振光辐射行为(图a),而这与通常在偏振分辨的光学实验中观测到的圆偏振光辐射行为相矛盾。
针对上述问题,
相关研究成果以《Non-Hermitian Theory of Valley Excitons in Two-Dimensional Semiconductors》为题发表在《物理评论快报》(Physics Review Letters),
论文链接:
https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.133.236902
来源:物电院
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