近日，我校由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着我校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

团队负责人陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。

新型半导体器件与材料重点实验室聘请中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士为首席科学家，团队师生共30余人，拥有完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间，主要研究超宽禁带氧化镓材料与器件。团队在氧化镓材料生长、器件制备、测试表征等方面具有丰富的科研经验，承担国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、陕西省教育厅基金资助的多个研究项目，在物理学报、半导体学报、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices、Physics Letters A、Nanotechnology、Applied Surface Science、Carbon等发表研究论文100余篇，授权国家发明专利20余项。